壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現(xiàn)對輸出頻率的調(diào)整，簡稱為VCO。壓控振蕩器內(nèi)部電路是由變?nèi)荻O管和石英晶體振蕩器電路組成的。變?nèi)荻O管是串聯(lián)在頻率控制回路當(dāng)中，通過改變加載在變?nèi)荻O管上的電壓來調(diào)整石英振蕩器的振蕩頻率，實現(xiàn)對輸出頻率的微調(diào)。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現(xiàn)微調(diào)，通過調(diào)整使輸出頻率達(dá)到*理想狀態(tài)。由于電壓控制腳是一個輸入腳，很容易帶入其他雜散信號，因此，在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應(yīng)用在工業(yè)和電信領(lǐng)域。

電氣參數(shù)
1.頻率 （MHz）  
2.輸出波形 （CMOS / SINE / TTL / LVDS）  
3.輸出電平及負(fù)載
4.工作溫度范圍 （℃）
5. 頻率穩(wěn)定度 （ppm）
6.壓控電壓范圍 
7. 頻率調(diào)整度 （+/-ppm）              
8.封裝
9.工作電壓 （Vdc）
10.輸出電流 （mA）
11.頻率誤差 （+/-ppm）
12.老化率  （Per Year）
注意：壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調(diào)電阻從外部穩(wěn)壓源獲得穩(wěn)定的調(diào)整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出，這個參考電壓更好。
 

	壓控晶振	SMD 14X9MM	VCXO
一、壓控晶振 技術(shù)規(guī)格
指標(biāo)參數(shù)		參數(shù)值			備注
	頻率范圍	5-300MHZ			可定制
	輸出波形	Sine	方波	PECL
輸出	輸出幅度	0-7dBm	標(biāo)準(zhǔn)	標(biāo)準(zhǔn)	可定制
特性	輸出負(fù)載	50Ω	15pF	/
	諧波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	雜散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	溫度特性	±25ppm			@25℃
	溫度范圍	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
頻率	相位噪聲
穩(wěn)定	@10Hz	≤-65dBc/Hz
性	@100Hz	≤-95dBc/Hz
	@1KHz	≤-122dBc/Hz			@122.88MHz
	@10KHz	≤-138dBc/Hz
	@100KHz	≤-142dBc/Hz
頻率	調(diào)節(jié)方式	電壓調(diào)節(jié)
調(diào)節(jié)	壓控電壓范圍	按照客戶要求			@電壓調(diào)節(jié)
	頻率調(diào)節(jié)范圍	±50-±150ppm			可定制
	線性度	±1%/±3%/±5%	Max
	壓控斜率	正斜率
電源	工作電壓	3.3V / 5V
輸入	工作電流	50mA Max			@122.88MHz
儲存溫度		-55 ﹢125 ℃
	壓控晶振	DIP 21X13MM	VCXO
一、壓控晶振 技術(shù)規(guī)格
指標(biāo)參數(shù)		參數(shù)值			備注
	頻率范圍	5-300MHZ			可定制
	輸出波形	Sine	TTL	HCMOS
輸出	輸出幅度	0-7dBm	標(biāo)準(zhǔn)	標(biāo)準(zhǔn)	可定制
特性	輸出負(fù)載	50Ω	15pF	15pF
	諧波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	雜散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	溫度特性	±25ppm			@25℃
	溫度范圍	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
頻率	相位噪聲
穩(wěn)定	@10Hz	≤-120dBc/Hz
性	@100Hz	≤-125dBc/Hz
	@1KHz	≤-130dBc/Hz			@32.768MHz
	@10KHz	≤-140dBc/Hz
	@100KHz	≤-145dBc/Hz
頻率	調(diào)節(jié)方式	電壓調(diào)節(jié)
調(diào)節(jié)	壓控電壓范圍	按照客戶要求			@電壓調(diào)節(jié)
	頻率調(diào)節(jié)范圍	±50-±150ppm			可定制
	線性度	±1%/±3%/±5%	Max
	壓控斜率	正斜率
電源	工作電壓	3.3V / 5V
輸入	工作電流	15mA Max			@32.768MHz
儲存溫度		-55 ﹢125 ℃