壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現(xiàn)對輸出頻率的調(diào)整，簡稱為VCO。壓控振蕩器內(nèi)部電路是由變?nèi)荻O管和石英晶體振蕩器電路組成的。變?nèi)荻O管是串聯(lián)在頻率控制回路當中，通過改變加載在變?nèi)荻O管上的電壓來調(diào)整石英振蕩器的振蕩頻率，實現(xiàn)對輸出頻率的微調(diào)。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現(xiàn)微調(diào)，通過調(diào)整使輸出頻率達到*理想狀態(tài)。由于電壓控制腳是一個輸入腳，很容易帶入其他雜散信號，因此，在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應(yīng)用在工業(yè)和電信領(lǐng)域。
電氣參數(shù)
1.頻率 （MHz） 。
2.輸出波形 （CMOS / SINE / TTL / LVDS）
3.輸出電平及負載
4.工作溫度范圍 （℃）
5.頻率穩(wěn)定度 （ppm）
6.壓控電壓范圍
7.頻率調(diào)整度 （+/-ppm）
8.封裝
9.工作電壓 （Vdc）
10.輸出電流 （mA）
11.頻率誤差 （+/-ppm）
12.老化率 （Per Year）
注意：壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調(diào)電阻從外部穩(wěn)壓源獲得穩(wěn)定的調(diào)整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出，這個參考電壓更好。
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壓控晶振 |
DIP 21X13MM |
VCXO |
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壓控晶振 |
技術(shù)規(guī)格 |
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指標參數(shù) |
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參數(shù)值 |
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備注 |
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頻率范圍 |
5-300MHZ |
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可定制 |
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輸出波形 |
Sine |
方波 |
PECL |
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輸出 |
輸出幅度 |
0-7dBm |
標準 |
標準 |
可定制 |
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特性 |
輸出負載 |
50Ω |
15pF |
/ |
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諧波/占空比 |
-30dBc |
45-55% |
45-55% |
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雜散抑制 |
-70dBc |
-70dBc |
-70dBc |
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頻率 |
溫度特性 |
±25ppm |
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@25℃ |
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穩(wěn)定 |
溫度范圍 |
-40 ﹢85 ℃ |
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性 |
年老化率 |
±3 - ±5ppm |
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相位噪聲 |
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@10Hz |
≤-70dBc/Hz |
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@100Hz |
≤-90dBc/Hz |
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@1KHz |
≤-120dBc/Hz |
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@317MHz |
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@10KHz |
≤-130dBc/Hz |
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@100KHz |
≤-145dBc/Hz |
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頻率 |
調(diào)節(jié)方式 |
電壓調(diào)節(jié) |
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調(diào)節(jié) |
壓控電壓范圍 |
按照客戶要求 |
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@電壓調(diào)節(jié) |
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頻率調(diào)節(jié)范圍 |
±50-±150ppm |
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可定制 |
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線性度 |
±1%/±3%/±5% |
Max |
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壓控斜率 |
正斜率 |
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電源 |
工作電壓 |
3.3V / 5V / 12V |
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輸入 |
工作電流 |
30mA Max |
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@317MHz |
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儲存溫度 |
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-55 ﹢125 ℃ |
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